1200℃RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。

技術(shù)特色：

? 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償

? 紅外鹵素管燈加熱

? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

? 快速數(shù)字PID溫度控制

? 不銹鋼冷壁真空腔室

? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

? 帶觸摸屏的PC控制

? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

? *高3路氣體（MFC控制）

? 沒有交叉污染，沒有金屬污染

  技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	1200℃RTP退火爐
產(chǎn)品型號	CY-RTP1000-Φ300-T
基片尺寸	12英寸
基片基座	石英針（可選配SiC涂層石墨基座）
溫度范圍	150-1200℃
加熱速率	10-150℃/S
溫度均勻性	≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
溫度控制精度	≤ ±3℃
溫度重復性	≤ ±3℃
真空度	5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
氣路供應	標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路）
退火持續(xù)時間	≥10min@1200℃
溫度控制	快速數(shù)字PID控制
尺　　寸	890mm*950mm*1400mm